电子发烧友网 > 汽车电子 > 正文

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

2019年07月24日 16:13 次阅读

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了ROHM独有的封装加工技术,非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统(ADAS)摄像头模块等汽车电子的小型化。

RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

近年来,ADAS不可或缺的车载摄像头,受安装空间的限制,对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求,在保持大电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目。

另一方面,对于汽车电子产品,为确保可靠性,会在产品安装后进行外观检测※1),但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面,因此无法确保汽车电子需要的焊料高度,并且很难确认安装后的焊接状态,这是长期以来存在的课题。

ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的行业领先产品的开发,并创造了傲人业绩。此次,通过引入ROHM独有工艺方法的 Wettable Flank成型技术※2),底面电极封装也能形成焊接面。作为业界首家※保证封装侧面电极部分130μm的高度,因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。

未来,ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势,继续开发小型封装技术,并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管二极管产品,持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。

※截至2019年7月23日 ROHM调查数据

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

<特点>

1.利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分130μm的高度

Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架切割高度越高越容易产生毛刺

为此,ROHM开发出独有的工艺方法,在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616封装产品(1.6mm×1.6mm),业界首家保证封装侧面电极部分130μm的高度。

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

2.替换为小型底部电极 MOSFET,削减安装面积

以往ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管(SBD)。但是,随着摄像头的分辨率日益提高,在超大电流化方向发展的车载市场,由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点,替换掉SBD已经是大势所趋。

例如电流2.0A、功耗0.6W时,在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET,与SBD相比,可削减30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET,由于是底部电极,散热性更好,不仅可实现小型化,还可实现大电流化。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,其安装面积可削减68%。

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

<产品阵容>

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车载用超小型MOSFET

<术语解说>

※1)外观检测

也称自动光学检查或AOI(Automated Optical InspecTIon)。例如,用摄像头扫描电路板,以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。

※2)Wettable Flank技术

在QFN和DFN等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工,在侧面也形成电极的技术。

下载发烧友APP

打造属于您的人脉电子圈

关注电子发烧友微信

有趣有料的资讯及技术干货

关注发烧友课堂

锁定最新课程活动及技术直播

电子发烧友观察

一线报道 · 深度观察 · 最新资讯
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

第七部:分立器件搭建BUCK电源

【LLC系统课程推荐】史上最全张飞半桥LLC电源教程,60小时深度讲解半桥串联谐振软开关电源设计http://url.e

发烧友学院 发表于 2017-07-26 00:00 32607次阅读
第七部:分立器件搭建BUCK电源

Steve Glaser来华,确定“全可编程”成...

人们在使用联网设备最担心的就是数据泄露,而工业物联网设备的安全涉及的成本更高,一旦出现问题损失无法估...

发表于 2019-07-24 10:35 277次阅读
Steve Glaser来华,确定“全可编程”成...

ADAS系统干扰挑战

发表于 2019-07-24 07:20 3次阅读
ADAS系统干扰挑战

浅析可润湿侧面UDFN8汽车EEPROM

发表于 2019-07-24 06:10 4次阅读
浅析可润湿侧面UDFN8汽车EEPROM

Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

MAX25610A/B内置MOSFET,效率高达90%并符合CISPR 25 EMI要求

发表于 2019-07-23 14:41 97次阅读
Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

汽车系统非易失性存储器的选择

发表于 2019-07-23 06:15 18次阅读
汽车系统非易失性存储器的选择

四通道IO-Link主控器电路

发表于 2019-07-23 06:13 5次阅读
四通道IO-Link主控器电路

AOS AON7804系列N沟道MOSFET

发表于 2019-07-22 09:31 61次阅读
AOS AON7804系列N沟道MOSFET

EMI/EMC辐射很低的开关转换器在汽车ADAS的应用

发表于 2019-07-22 08:09 8次阅读
EMI/EMC辐射很低的开关转换器在汽车ADAS的应用

MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

产能已满,有事排队

发表于 2019-07-19 10:00 374次阅读
MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

发表于 2019-07-18 14:14 915次阅读
[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看

ROHM的汽车车载LED技术介绍

ROHM的最大优势在于,能够进行全面而严格的品质管理并利用垂直统合型生产体制(从元件制造阶段开始就严...

发表于 2019-07-18 08:40 62次阅读
ROHM的汽车车载LED技术介绍

汽车应用设计指南介绍

发表于 2019-07-18 04:45 23次阅读
汽车应用设计指南介绍

高级驾驶辅助系统是一个令人兴奋的市场空间

发表于 2019-07-18 04:45 50次阅读
高级驾驶辅助系统是一个令人兴奋的市场空间

ADAS深度学习应用的发展趋势

发表于 2019-07-17 08:41 74次阅读
ADAS深度学习应用的发展趋势

儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,...

发表于 2019-07-15 16:37 198次阅读
儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

收藏

发表于 2019-07-15 09:58 1819次阅读
What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

Luminar用于ADAS的激光雷达解决方案

此外,Luminar还宣布结束了一轮规模庞大的融资,目前其总融资额已达2.5亿美元。最新1亿美元的融...

发表于 2019-07-13 11:48 293次阅读
Luminar用于ADAS的激光雷达解决方案

MOSFET栅极电压对电流的影响

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源...

发表于 2019-07-12 17:50 356次阅读
MOSFET栅极电压对电流的影响

基于ADSP-BF592的车道偏离告警解决方案

先进的驾驶系统(Advanced Driver Assistance Systems)简称ADAS,...

发表于 2019-07-12 06:04 58次阅读
基于ADSP-BF592的车道偏离告警解决方案

ROHM开发出节能优势显著的升降压型DC/DC转...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备,开发出一款...

发表于 2019-07-11 17:35 164次阅读
ROHM开发出节能优势显著的升降压型DC/DC转...

ADAS与自动驾驶汽车仿真你必须要知道这些

高级驾驶员辅助系统(ADAS)与自动驾驶汽车的研发不仅极富挑战,且无先例可循。此技术的实现需传感器技...

发表于 2019-07-11 15:32 427次阅读
ADAS与自动驾驶汽车仿真你必须要知道这些

中国车载摄像头数量、功能及镜片发展趋势分析

车载摄像头性价比高,广泛应用于汽车传感系统,在智能驾驶ADAS系统中也发挥着难以替代的作用。车载摄像...

发表于 2019-07-07 18:48 1893次阅读
中国车载摄像头数量、功能及镜片发展趋势分析

增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式...

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,...

发表于 2019-07-06 09:48 412次阅读
增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式...

碳化硅(SiC)功率器件发展现状

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预...

发表于 2019-07-05 11:56 2896次阅读
碳化硅(SiC)功率器件发展现状

ADSP-BF60X系列处理器的新品介绍

ADSP-BF60X系列处理器新品发布会(完整版)

发表于 2019-07-05 06:02 430次阅读
ADSP-BF60X系列处理器的新品介绍

ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流...

ACNW3190栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适用于额定电压高达1200V / 200 A,600 V / 300 A的直接驱动IGBT。对于额定值较高的IGBT,ACNW3190可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。 ACNW3190在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中具有最高的VIORM = 1414 Vpeak绝缘电压。   功能 5.0最大峰值输出电流 15 kV /μs最小共模抑制(CMR) )VCM = 1500 V 0.5 V最大低电平输出电压(VOL) 无需负栅极驱动 ICC = 5 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定保护(UVLO) 宽工作VCC范围:15至30 V 500 ns最大开关速度 工业温度范围:-40°C至100°C 安全认证(UL认可5000 Vrms 1分钟,CSA认证,IEC / EN / DIN EN 60747-5-2认可VIORM = 1414 Vpeak) 应用 IGBT / MOSFET栅极驱动器 AC /无刷直流电机驱动器 工业逆变...

发表于 2019-07-04 13:05 0次阅读
ACNW3190-000E 5.0安培高输出电流...

HSSR-7110#100 90 V / 1.0...

HSSR-7110#100是商用级HSSR-7110,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

发表于 2019-07-04 12:47 2次阅读
HSSR-7110#100 90 V / 1.0...

HSSR-7110#600 90 V / 1.0...

HSSR-7110#600是商用级HSSR-7110,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和航空航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

发表于 2019-07-04 12:46 7次阅读
HSSR-7110#600 90 V / 1.0...

HSSR-7110#300 90 V / 1.0...

HSSR-7110#300是商用级HSSR-7110,带有可表面安装的鸥翼形引线和焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

发表于 2019-07-04 12:45 11次阅读
HSSR-7110#300 90 V / 1.0...

HSSR-7111#300 90 V / 1.0...

HSSR-7111#300是高可靠性等级H HSSR-7111,带有可表面安装的鸥翼形引线形式和焊料浸渍引线表面。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

发表于 2019-07-04 12:45 13次阅读
HSSR-7111#300 90 V / 1.0...

ACPL-33JT-000E 汽车R²...

ACPL-33JT是一款2.5A汽车R 2 耦合器®智能门驱动光电耦合器件,具有集成的反激控制器用于隔离式DC-DC转换器,具有故障反馈的IGBT去饱和感应,具有软关断和故障反馈的欠压锁定(UVLO)以及有源米勒电流钳位。快速传播延迟和严格的时序偏移性能可实现出色的时序控制和效率。 这款全功能设备采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间,适用于电动汽车(EV)和混合动力车辆中的牵引动力总成逆变器,电源转换器,电池充电器,空调和油泵电机驱动器电动汽车(HEV)应用。 R 2 耦合器隔离产品提供关键汽车和高温工业应用所需的增强绝缘和可靠性。 功能 符合AEC-Q100 1级测试指南 工作温度范围:-40°C至+ 125°C  用于隔离式DC-DC转换器的集成反激式控制器 稳压输出电压:16V 峰值输出电流:2.5A  (最大) 米勒钳位漏电流:2A 输入电源范围:4.5V至5.5V 传播延迟:300ns(最大)  死区时间失真范围:-150ns至+ 150ns 共模抑制(CMR): > 50 kV /μs;在 CM = 1500 V 集成的故障安全IGBT保护: 去饱和感应,“软” IGBT关断和故障反馈 带反馈的欠压锁定(UVLO)保护 ...

发表于 2019-07-04 12:45 13次阅读
ACPL-33JT-000E 汽车R²...

HSSR-7111#100 90 V / 1.0...

HSSR-7111#100是高可靠性等级H HSSR-7111,具有可表面安装的对接引线形式和金色铅涂层。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

发表于 2019-07-04 12:45 20次阅读
HSSR-7111#100 90 V / 1.0...

HSSR-7110#200 90 V / 1.0...

HSSR-7110#200是商品级HSSR-7110,带有焊料浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 商用级,8针DIP 性能保证从-55度到125度C 可靠性数据 体积小,重量轻 MIL-PRF-38534 H级可用 可用空间级处理 提供DSCC标准微电路图(H级) 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0 Ohm 连接B 1.6 A,0.25 Ohm 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5放大器输出浪涌电流 应用 军事和空间 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 恶劣的工业环境...

发表于 2019-07-04 12:45 16次阅读
HSSR-7110#200 90 V / 1.0...

HSSR-7111#200 90 V / 1.0...

HSSR-7111#200是高可靠性等级H HSSR-7111,带有焊接浸渍引线。焊料含有铅。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

发表于 2019-07-04 12:44 20次阅读
HSSR-7111#200 90 V / 1.0...

HSSR-7111#600 90 V / 1.0...

HSSR-7111#600是高可靠性等级H HSSR-7111,具有非常短的表面安装人员切割引线形状和金铅表面。请使用数据表链接获取更多详细信息。 功能 高可靠性,8引脚DIP 性能保证从-55度到125度C MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标记设备部件号和DSCC标准微电路图 可靠性数据 体积小,重量轻 可用空间电平处理 交流/直流信号和电源切换 紧凑型固态双向开关 连接A 0.8 A,1.0欧姆 连接B 1.6 A,0.25欧姆 1500 Vdc耐受测试电压 高瞬态抗扰度 5安培输出浪涌电流 应用 军事与航天 高可靠性系统 标准28 Vdc和48 Vdc负载驱动器 标准24 Vac负载驱动器 飞机控制器 ac / dc机电和固态继电器更换 I / O模块 Harsh Industrial环境...

发表于 2019-07-04 12:44 14次阅读
HSSR-7111#600 90 V / 1.0...

常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通...

发表于 2019-07-03 16:26 211次阅读
常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

高性能76-81GHz汽车雷达技术平台的演示

ADI公司演示一种76-81GHz汽车雷达技术平台,这种平台将转变OEM对未来高级驾驶员辅助系统(A...

发表于 2019-07-03 06:03 101次阅读
高性能76-81GHz汽车雷达技术平台的演示

功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工...

发表于 2019-07-02 16:42 643次阅读
功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过...

发表于 2019-07-02 11:24 757次阅读
如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

汽车应用中升级到或扩展CAN FD时 不用再修改...

以往,在升级至或扩展CAN FD功能时,设计师不得不在其设计中整合多个分立的组件或彻底修改微控制器,...

发表于 2019-07-02 08:41 1174次阅读
汽车应用中升级到或扩展CAN FD时 不用再修改...

IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比...

发表于 2019-06-29 09:44 487次阅读
IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。

发表于 2019-06-26 14:33 132次阅读
MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

智能汽车未来的机遇是什么?大联大之大大通举办“A...

智能汽车未来的机遇是什么?大联大之大大通成功举办以新一代ADAS技术为主题的在线研讨会。

发表于 2019-06-21 16:24 632次阅读
智能汽车未来的机遇是什么?大联大之大大通举办“A...

MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,实际在考虑工艺相关因素后都是比较复...

发表于 2019-06-18 17:19 287次阅读
MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

MOSFET开通时间和关断时间定义

电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原...

发表于 2019-06-18 16:49 516次阅读
MOSFET开通时间和关断时间定义

MOS管参数及含义说明

 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十...

发表于 2019-06-18 16:01 226次阅读
MOS管参数及含义说明

森思泰克首次实现大批量77GHz车载毫米波雷达的...

森思泰克77GHz车载毫米波雷达成为国内首个真正实现 “上路”的ADAS毫米波雷达传感器,这也就意味...

发表于 2019-06-17 15:42 993次阅读
森思泰克首次实现大批量77GHz车载毫米波雷达的...

可在虚拟和真实道路中执行ADAS和AVs测试的工...

测试复杂的自动驾驶功能,确保自动驾驶汽车在所有条件下都能安全驾驶,非常具有挑战性。可能需要花费几年甚...

发表于 2019-06-16 11:24 637次阅读
可在虚拟和真实道路中执行ADAS和AVs测试的工...

光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来...

发表于 2019-06-16 09:56 1009次阅读
光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019...

发表于 2019-06-14 20:29 3473次阅读
亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

ADAS成为最具成长潜力的汽车板应用领域

随着全球汽车市场销售量下滑,再加上电路板厂商纷纷跳入汽车板的生产行列,过去毛利率一向高于传统3C的汽...

发表于 2019-06-13 09:27 570次阅读
ADAS成为最具成长潜力的汽车板应用领域

ROHM新发布具有内置自我诊断功能的电源监控IC...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向ADAS(高级驾驶辅助系统)和自动驾驶用的传感器...

发表于 2019-06-09 16:30 212次阅读
ROHM新发布具有内置自我诊断功能的电源监控IC...

ST可编程电源管理芯片是如何节省ADAS空间提高...

意法半导体L5965七路输出汽车电源管理IC(PMIC)支持电池电压直接供电,输出电压和上电时序可通...

发表于 2019-06-09 09:46 436次阅读
ST可编程电源管理芯片是如何节省ADAS空间提高...

在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这...

发表于 2019-06-04 10:09 480次阅读
在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

汽车板蓝海市场逐渐染红 ADAS为新兴成长来源

随着全球汽车市场销售量下滑,再加上电路板厂商纷纷跳入汽车板的生产行列,过去毛利率一向高于传统3C的汽...

发表于 2019-06-01 11:48 1283次阅读
汽车板蓝海市场逐渐染红 ADAS为新兴成长来源

ROHM的车载LED技术应用

LED在各个领域中的应用已经司空见惯,在汽车领域也不例外,作为刹车灯、车速表等指示灯光源,LED的应...

发表于 2019-05-30 16:47 770次阅读
ROHM的车载LED技术应用

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压I...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101...

发表于 2019-05-29 15:15 765次阅读
满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压I...

ADAS+智慧出行,自动驾驶两手都要抓

2014年左右,一些基于智慧出行平台的公司提出,自动驾驶技术应该一步到位,直接进入L4甚至L5。而以...

发表于 2019-05-17 15:38 143次阅读
ADAS+智慧出行,自动驾驶两手都要抓

77GHz毫米波雷达市场爆发在即,NXP凭借哪些...

随着国内汽车主动安全相关政策的逐步实施,特别是C-NCAP的五星评定、交通部对营运车辆的1094文的...

发表于 2019-05-16 08:20 3633次阅读
77GHz毫米波雷达市场爆发在即,NXP凭借哪些...

英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合...

英飞凌联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOS...

发表于 2019-05-14 16:58 500次阅读
英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合...

自动驾驶汽车它的产业链上下游已经出现支撑公司,并...

目前来看,多线激光雷达很有可能是未来无人车的必备传感器,并且与高精度地图及驾驶系统核心算法紧密相关。...

发表于 2019-05-14 15:03 1424次阅读
自动驾驶汽车它的产业链上下游已经出现支撑公司,并...

意法半导体可编程电源管理芯片节省先进驾驶辅助系统...

意法半导体L5965七路输出汽车电源管理IC(PMIC)支持电池电压直接供电,输出电压和上电时序可通...

发表于 2019-05-14 11:31 576次阅读
意法半导体可编程电源管理芯片节省先进驾驶辅助系统...

ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用...

ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系...

发表于 2019-05-13 18:30 670次阅读
ROHM新推基于AEC-Q101标准的四款车载用...

CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM...

CISSOID在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅...

发表于 2019-05-13 11:33 234次阅读
CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM...

详细分析MOSFET内部结构及参数特性的讲解

MOSFET从完全关断到完全导通经过哪几个阶段,在此过程中MOSFET为什么会发热。

发表于 2019-05-12 07:27 1081次阅读
详细分析MOSFET内部结构及参数特性的讲解

什么叫米勒电容?对MOSFET有何作用

什么叫米勒电容?如何作用和影响于MOSFET?

发表于 2019-05-12 07:27 1563次阅读
什么叫米勒电容?对MOSFET有何作用

电容在MOS管开关中CRSS的作用分析

CRSS也就是反向传输电容。这个电容在MOS管的开通和关的过程中,它的作用是十分重要的。

发表于 2019-05-11 09:39 1419次阅读
电容在MOS管开关中CRSS的作用分析

浅谈MOSFET中栅极电阻的作用意义

MOSFET的栅极电阻有什么关键作用?

发表于 2019-05-11 09:32 1367次阅读
浅谈MOSFET中栅极电阻的作用意义

MOSFET和三极管如何区分压控压型和流控流型

MOSFET和三极管哪个是压控压型,哪个是流控流型?

发表于 2019-05-11 09:22 1095次阅读
MOSFET和三极管如何区分压控压型和流控流型

闻泰科技收购安世半导体通过中国反垄断调查

根据公司战略规划和业务需求,并结合公司全资子公司昆明闻泰通讯有限公司(以下简称“昆明闻泰”)的实际经...

发表于 2019-05-09 11:10 1024次阅读
闻泰科技收购安世半导体通过中国反垄断调查

电流驱动电流检测电路详解,如何使用分流电压作为输...

运放必须是轨对轨输入,或有一个包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算放大器可实现最小偏移量。但请记住...

发表于 2019-05-09 10:47 891次阅读
电流驱动电流检测电路详解,如何使用分流电压作为输...

第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

SiC适合高压领域,GaN更适用于低压及高频领域。

发表于 2019-05-04 23:15 4332次阅读
第三代化合物半导体SiC及GaN市场及应用分析

现在有哪些热门的车用传感器详细资料说明

随着新技术和新功能的不断出现,汽车应用设计变得越来越具挑战性,从而推动了现今车用传感器的数量和类型不...

发表于 2019-05-03 08:57 1148次阅读
现在有哪些热门的车用传感器详细资料说明

如何选择MOSFET——电机控制

本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制...

发表于 2019-04-30 17:59 329次阅读
如何选择MOSFET——电机控制

英特尔Mobileye从ADAS入手实现自动驾驶

道路千万条,安全第一条,行车不规范,亲人两行泪。在我国,每年均有26万人于交通事故中丧生,这意味着每...

发表于 2019-04-25 14:43 1001次阅读
英特尔Mobileye从ADAS入手实现自动驾驶

汽车正快速进入全新的ADAS世界

据估计,自动驾驶功能的验证需要在实际道路上进行数百万甚至十亿公里的驾驶测试,如果再考虑到对道路上行人...

发表于 2019-04-24 18:08 1372次阅读
汽车正快速进入全新的ADAS世界

高可靠性1700V全SiC功率模块

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现行...

发表于 2019-04-24 13:06 868次阅读
高可靠性1700V全SiC功率模块

新能源汽车整体产能以及ADAS渗透率的双重提升,...

1.封闭式的网络成为传感器数据传输天然的障碍,ECU 功能协同已达瓶颈。90 年代初,一辆汽车上平均...

发表于 2019-04-22 17:28 3234次阅读
新能源汽车整体产能以及ADAS渗透率的双重提升,...

ADAS的功能介绍及产业梳理

“ADAS”到底是啥?

发表于 2019-04-21 10:33 1111次阅读
ADAS的功能介绍及产业梳理

前级驱动电路设计中的自举电容

一个电源正端的一个电源,那么我们说这里应该用P管,对吧?那么如果呢这个管子放在D端,它的下面直接通D...

发表于 2019-04-17 09:52 2567次阅读
前级驱动电路设计中的自举电容

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

发表于 2018-10-16 11:19 28次阅读
UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

UCC27211A 120-V Boot, 4-...

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。> UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

发表于 2018-10-16 11:19 87次阅读
UCC27211A 120-V Boot, 4-...

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

发表于 2018-10-16 11:19 58次阅读
UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

发表于 2018-10-16 11:19 116次阅读
UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...

发表于 2018-10-16 11:19 92次阅读
TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

发表于 2018-10-16 11:19 47次阅读
UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

UCC27516 4A/4A Single Ch...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 2018-10-16 11:19 55次阅读
UCC27516 4A/4A Single Ch...

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比低侧驱动器 Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

发表于 2018-10-16 11:19 48次阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比半桥驱动器 Number of Ch...

发表于 2018-10-16 11:19 120次阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比低侧驱动器 Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

发表于 2018-10-16 11:19 31次阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

发表于 2018-10-16 11:19 57次阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 2018-10-16 11:19 122次阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

发表于 2018-10-16 11:19 95次阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 2018-10-16 11:19 30次阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 2018-10-16 11:19 20次阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

发表于 2018-10-16 11:19 169次阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 2018-10-16 11:19 189次阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 2018-10-16 11:19 194次阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 2018-10-16 11:19 72次阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比半桥驱动器 Number of Channels (#) ...

发表于 2018-10-16 11:19 121次阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...